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NP90N04VDG-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP90N04VDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Logic level • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 4.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) RDS(on)2 = 8.6 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A) • High current ra

文件:323.07 Kbytes 页数:10 Pages

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Amphenol Advanced Sensors

上传:深圳市汇创佳电子科技有限公司

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详细参数

  • 型号:

    NP90N04VDG-E2-AY

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更多NP90N04VDG-E2-AY供应商 更新时间2026-2-6 14:02:00