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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP50P04SLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=9.6mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) ⎯RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−25A) •Lowinputcapacitance | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
P-Channel40V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Packagewithlowthermalresistance •100RgandUIStested | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
40VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-10A | PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司 | PANJIT | ||
40VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-10A | PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司 | PANJIT | ||
AutomotiveP-Channel40V(D-S)175째CMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
AutomotiveP-Channel40V(D-S)175째CMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features Vos=-40VID=-50A ROS(ON) | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司 | TECHPUBLIC | ||
-40V,-60AP-CHANNELPOWERMOSFET | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | UTC | ||
HighFrequencyPoint-of-LoadSynchronousBuckConverterforMB/NB/UMPC/VGA | WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半导体微硕半导体（深圳）有限公司 | WIINSOK | ||
-40VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application Batteryprotection Loadswitch Uninterruptiblepowersupply | YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司 | YFWDIODE |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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