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WSF50P04	文件：1.05464 Mbytes Page：5 Pages	High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半导体微硕半导体（深圳）有限公司	WIINSOK
50P04	文件：1.91367 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
HLDD50P04	文件：507.16 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
HLDD50P04	文件：698.84 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 汇利达广东汇利达半导体有限公司	HUILIDA
LMAK50P04	文件：2.94205 Mbytes Page：5 Pages	-40VP-ChannelEnhancementModeMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
MCU50P04	文件：558.31 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
ME50P04	文件：1.07823 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP50P04KDG	文件：181.45 Kbytes Page：7 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP50P04KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=10mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−25A) •Lowinputcapacitance Ci	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP50P04KDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP50P04SDG	文件：1.07819 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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更多WSF50P04供应商更新时间2025-5-22 11:06:00

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