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NP36N10SDE-E2-AY	文件：257.61 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP36N10SDE is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance RDS(on)1 = 33 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A) RDS(on)2 = 39 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 18 A) • Low Ciss: Ciss = 3500 pF TYP. (VDS = 2 文件：257.61 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多NP36N10SDE-E2-AY供应商更新时间2025-10-13 11:00:00