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NP36N10SDE-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP36N10SDE is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance RDS(on)1 = 33 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A) RDS(on)2 = 39 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 18 A) • Low Ciss: Ciss = 3500 pF TYP. (VDS = 2

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RENESAS

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nP3750PBC-400

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Applied Micro Circuits Corporation

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上传:深圳市昂芯微科技有限公司

NP40N10LG

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NP40N10PDF-E1-AY

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