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NP36N10SDE-E2-AY中文资料PDF规格书

NP36N10SDE-E2-AY
厂商型号

NP36N10SDE-E2-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

257.61 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-15 16:11:00

NP36N10SDE-E2-AY规格书详情

Description

The NP36N10SDE is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 33 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A)

RDS(on)2 = 39 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 18 A)

• Low Ciss: Ciss = 3500 pF TYP. (VDS = 25 V)

• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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