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NP29N04QUK中文资料40 V – 30 A – Dual N-channel Power MOS FET数据手册Renesas规格书
NP29N04QUK规格书详情
描述 Description
NP29N04QUK is a dual N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特性 Features
• Super low on-state resistance RDS(on) = 10.1 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A)
• Low Ciss: Ciss = 1000 pF TYP. (VDS = 25 V)
• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
• Small size package 8-pin HSON dual
技术参数
- 制造商编号
：NP29N04QUK
- 生产厂家
：Renesas
- Channels (#)
：2
- Pkg. Type
：HSON
- Standard Pkg. Type
：Power SON-8 5x6
- VDSS (Max) (V)
：40
- ID (A)
：30
- RDS (ON)(Max) @10V or 8V (mohm)
：10.1
- Pch (W)
：44
- VGSS
：20
- Vgs (off) (Max) (V)
：4
- RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm)
：8.5
- Ciss (Typical) (pF)
：1000
- Mounting Type
：Surface Mount
- Series Name
：NP Series
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