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NP23N06YDG数据手册Renesas中文资料规格书

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厂商型号

NP23N06YDG

功能描述

Power MOSFETs for Automotive

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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NP23N06YDG规格书详情

描述 Description

The NP23N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特性 Features

• Low on-state resistance RDS(on) = 27 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 11.5 A)
• Low Ciss: Ciss = 1200 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)
• Logic level drive type
• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
• Small size package 8-pin HSON

技术参数

  • 制造商编号

    :NP23N06YDG

  • 生产厂家

    :Renesas

  • Channels (#)

    :1

  • Pkg. Type

    :HSON

  • Standard Pkg. Type

    :Power SON-8 5x6

  • VDSS (Max) (V)

    :60

  • ID (A)

    :23

  • RDS (ON)(Max) @10V or 8V (mohm)

    :27

  • Pch (W)

    :60

  • VGSS

    :20

  • Vgs (off) (Max) (V)

    :2.5

  • RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm)

    :22

  • Ciss (Typical) (pF)

    :1200

  • QG (nC) typ (nC)

    :27

  • Mounting Type

    :Surface Mount

  • Series Name

    :NP Series

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