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NP2301AJR	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET	Natlinear 南麟	Natlinear
NP2301AMR	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Natlinear 南麟	Natlinear
NP2301AVR	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Natlinear 南麟	Natlinear
NTE2301	文件：22.14 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Output Description: The NTE2301 is a silicon NPN power transistor in a TO218 type package designed for use in large screen deflection circuits. Features: • Collector–Emitter Voltage: VCEX = 1500V • Glassivated Base–Collector Junction • Safe Operating Area @ 50µs = 20A, 400V • Switchin 文件：22.14 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE
NUP2301	文件：216.85 Kbytes Page：2 Pages	Low cap. diode array for 2 Line High Speed USB protection devic 文件：216.85 Kbytes 页数：2 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NX2301P	文件：370.25 Kbytes Page：16 Pages	20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET 文件：370.25 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI

技术参数

封装形式：
SOT-23-3L
Vds(V)：
-20
ID(A)25°C：
-2.8
VGS(±V)：
12
Rdson@4.5V Tpy(mΩ)：
60

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NP2301A供应商更新时间2026-3-14 17:59:00

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