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NP100N055PUK	文件：110 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP100N055PUK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Super low on-state resistance RDS(on) = 3.25 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) • Low Ciss: Ciss = 4900 pF TYP. (VDS = 25 V) • Designed for automotive applicatio 文件：110 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP100N055PUK	文件：268.66 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Features  Super low on-state resistance RDS(on) = 3.25 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A)  Low Ciss: Ciss = 4900 pF TYP. (VDS = 25 V)  Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified 文件：268.66 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP100N055PUK	文件：345.18 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.25mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：345.18 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NP100N055PUK	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP100N055PUK_V01	文件：268.66 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Features  Super low on-state resistance RDS(on) = 3.25 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A)  Low Ciss: Ciss = 4900 pF TYP. (VDS = 25 V)  Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified 文件：268.66 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP100N055PUK-E1-AY	文件：110 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP100N055PUK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Super low on-state resistance RDS(on) = 3.25 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) • Low Ciss: Ciss = 4900 pF TYP. (VDS = 25 V) • Designed for automotive applicatio 文件：110 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP100N055PUK-E1-AY	文件：268.66 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Features  Super low on-state resistance RDS(on) = 3.25 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A)  Low Ciss: Ciss = 4900 pF TYP. (VDS = 25 V)  Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified 文件：268.66 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP100N055PUK-E2-AY	文件：268.66 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Features  Super low on-state resistance RDS(on) = 3.25 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A)  Low Ciss: Ciss = 4900 pF TYP. (VDS = 25 V)  Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified 文件：268.66 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP100N055PUK-E2-AY	文件：110 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP100N055PUK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Super low on-state resistance RDS(on) = 3.25 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) • Low Ciss: Ciss = 4900 pF TYP. (VDS = 25 V) • Designed for automotive applicatio 文件：110 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP100N055PUK_15	文件：121.71 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：121.71 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

Channels (#)：
1
Pkg. Type：
MP-25ZP
Standard Pkg. Type：
TO-263 / D2PAK
VDSS (Max) (V)：
55
ID (A)：
100
RDS (ON)(Max) @10V or 8V (mohm)：
3.25
Pch (W)：
176
VGSS：
20
Vgs (off) (Max) (V)：
4
RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm)：
2.7
Ciss (Typical) (pF)：
4900
QG (nC) typ (nC)：
80
Mounting Type：
Surface Mount
Series Name：
NP Series

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