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NP100N04NUJ	文件：223.75 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP100N04NUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Super low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 3.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) • Low Ciss: Ciss = 5600 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • High current rating: ID 文件：223.75 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP100N04NUJ	文件：281.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：281.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NP100N04NUJ	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP100N04NUJ.S18-AY	文件：223.75 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP100N04NUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Super low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 3.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) • Low Ciss: Ciss = 5600 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • High current rating: ID 文件：223.75 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP100N04NUJ_15	文件：223.75 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：223.75 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP100N04NUJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
MP-25SK/TO-262
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
汽车业：
YES
VDSS (V) 最大值：
40
ID (A)：
100
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
3
Ciss (pF) 典型值：
5600
Vgs (off) (V) 最大值：
4
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
220
应用：
Automotive Use
安装类型：
Through Hole
系列名称：
NP Series
QG (nC) 典型值：
110

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