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NJVMJD350T4G

High Voltage Power Transistors

文件:93.23 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NJVMJD350T4G

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 0.5A 300V TR

ONSEMI

安森美半导体

NJVMJD350T4G

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 300V 0.5A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

MBRD350T4

SWITCHMODE Power Rectifiers

These state−of−the−art devices are designed for use as output rectifiers, free wheeling, protection and steering diodes in switching power supplies, inverters and other inductive switching circuits. Features • Extremely Fast Switching • Extremely Low Forward Drop • Platinum Barrier with Avalan

文件:64.72 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD350T4

SILICON POWER TRANSISTORS 0.5 AMPERE 300 VOLTS 15 WATTS

High Voltage Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for line operated audio output amplifier, switchmode power supply drivers and other switching applications. • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Straight Lead Version in Plastic

文件:194.02 Kbytes 页数:4 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

MJD350T4G

High Voltage Power Transistors

文件:126.27 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NJVMJD350T4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 10mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 50mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    10MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS PNP 300V 0.5A DPAK

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更多NJVMJD350T4G供应商 更新时间2026-9-26 13:00:00