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NJVMJD42CT4G	文件：121.38 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Power Transistors ComplementaryPowerTransistorsDPAKforSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“1”Suffix) •Elect	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD42CT4G	文件：89.89 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD42CT4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 6A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB42CT4	文件：123.47 Kbytes Page：8 Pages	ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB42CT4	文件：90.32 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MJD42CT4	文件：78.58 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NJVMJD42CT4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 600mA，6A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 300mA，4V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS PNP 100V 6A DPAK

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