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MJD42CT4G	文件：121.38 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistorsDPAKforSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“1”Suffix) •Elect	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJB42CT4G	文件：131.91 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MJB42CT4
功能描述：
两极晶体管 - BJT 6A 100V 65W PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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