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IK-064C-W	文件：1.15955 Mbytes Page：2 Pages	IF/IKSERIES Features -Ideallysuitedproductsthatmustconformtopart15, FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIlofIEC60664andcomply withIEC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Snapi	DITDONG IL TECHNOLOGY LTD. 东益科技东益科技有限公司	DIT
IK-064D-W	文件：1.15955 Mbytes Page：2 Pages	IF/IKSERIES Features -Ideallysuitedproductsthatmustconformtopart15, FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIlofIEC60664andcomply withIEC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Snapi	DITDONG IL TECHNOLOGY LTD. 东益科技东益科技有限公司	DIT
IM064CP	文件：1.02077 Mbytes Page：2 Pages	IMSERIES Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Plasticcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIlofIEC60664andcomply withIEC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -	DITDONG IL TECHNOLOGY LTD. 东益科技东益科技有限公司	DIT
IM064DP	文件：1.02077 Mbytes Page：2 Pages	IMSERIES Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Plasticcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIlofIEC60664andcomply withIEC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -	DITDONG IL TECHNOLOGY LTD. 东益科技东益科技有限公司	DIT
IRF064N	文件：107.54 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.008ohm,Id=110A?? FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigne	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFI064	文件：230.58 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFI064	文件：226.56 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTORN-CHANNEL(Vdss=60V,Rds(on)=0.017ohm,Id=45A*) HEXFET®TRANSISTORN-CHANNEL AVALANCHEENERGYRATEDANDdv/dtRATED 60Volts,0.017OhmHEXFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFM064	文件：277.14 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFM064	文件：198.17 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP064	文件：1.7043 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP064	文件：1.68986 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP064	文件：1.68986 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP064	文件：1.69898 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP064	文件：444.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP064	文件：171.05 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=0.009ohm,Id=70*A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP064	文件：931.38 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Ultralowon-resistance •Verylowthermalresistance •Isolatedcentralmountinghole •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9991	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP064	文件：1.72153 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP064N	文件：612.848 Kbytes Page：9 Pages	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：55V连续漏极电流(Id)：110A功率(Pd)：200W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,59AN沟道,55V,110A,8mΩ@10V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 PDF上传者：深圳市亚泰盈科电子有限公司	Infineon
IRFP064N	文件：107.54 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.008ohm,Id=110A?? FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigne	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP064N	文件：355.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
NJM064MB
功能描述：
运算放大器 - 运放 Quad Low Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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