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PBSS4330PA	文件：707.43 Kbytes Page：16 Pages	30V,3ANPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinan ultrathinSOT1061leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewith mediumpowercapability. PNPcomplement:PBSS5330PA. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emitter	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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