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NGTB75N65FL2WAG	文件：162.87 Kbytes Page：10 Pages	IGBT - Field Stop II / 4 Lead	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB75N65FL2WAG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-4 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT FIELD STOP 650V 200A TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB75N65FL2WAG_16	文件：162.87 Kbytes Page：10 Pages	IGBT - Field Stop II / 4 Lead	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NGTB75N65FL2WG	文件：393.88 Kbytes Page：4 Pages	FieldStopandtrenchIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=75A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

产品属性

产品编号：
NGTB75N65FL2WAG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，75A
开关能量：
610µJ（开），1.2mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
23ns/157ns
测试条件：
400V，75A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-4
供应商器件封装：
TO-247-4L
描述：
IGBT FIELD STOP 650V 200A TO247

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