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NGTB75N65FL2WG	文件：378.65 Kbytes Page：12 Pages	IGBT This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. Features • Extremely Efficient Trench w 文件：378.65 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB75N65FL2WG	文件：393.88 Kbytes Page：4 Pages	Field Stop and trench IGBT DESCRIPTION ·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.0V@IC= 75A ·High Current Capability ·High Input Impedance ·Fast Switching APPLICATIONS ·Induction Heating,UPS ·AC & DC motor controls and general purpose inverters 文件：393.88 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NGTB75N65FL2WG	文件：245.07 Kbytes Page：11 Pages	IGBT 文件：245.07 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB75N65FL2WG	文件：246.31 Kbytes Page：11 Pages	IGBT 文件：246.31 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB75N65FL2WG_V01	文件：378.65 Kbytes Page：12 Pages	IGBT This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. Features • Extremely Efficient Trench w 文件：378.65 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB75N65FL2WG_16	文件：245.07 Kbytes Page：11 Pages	IGBT 文件：245.07 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB75N65FL2WG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NGTB75N65FL2WG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，75A
开关能量：
1.5mJ（开），1mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
110ns/270ns
测试条件：
400V，75A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247

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