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NGTB75N65FL2WG	文件：393.88 Kbytes Page：4 Pages	Field Stop and trench IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=75A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NGTB75N65FL2WG	文件：378.65 Kbytes Page：12 Pages	IGBT ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresarobustand costeffectiveFieldStop(FS)Trenchconstruction,andprovides superiorperformanceindemandingswitchingapplications,offering bothlowonstatevoltageandminimalswitchingloss. Features •ExtremelyEfficientTrenchw	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB75N65FL2WG	文件：245.07 Kbytes Page：11 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NGTB75N65FL2WG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB75N65FL2WG_V01	文件：378.65 Kbytes Page：12 Pages	IGBT ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresarobustand costeffectiveFieldStop(FS)Trenchconstruction,andprovides superiorperformanceindemandingswitchingapplications,offering bothlowonstatevoltageandminimalswitchingloss. Features •ExtremelyEfficientTrenchw	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB75N65FL2WG_16	文件：245.07 Kbytes Page：11 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NGTB75N65FL2WG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，75A
开关能量：
1.5mJ（开），1mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
110ns/270ns
测试条件：
400V，75A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247

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更多NGTB75N65FL2WG供应商更新时间2025-7-16 11:12:00

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