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NGTB75N65FL2WG

Field Stop and trench IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=75A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

NGTB75N65FL2WG

IGBT

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresarobustand costeffectiveFieldStop(FS)Trenchconstruction,andprovides superiorperformanceindemandingswitchingapplications,offering bothlowonstatevoltageandminimalswitchingloss. Features •ExtremelyEfficientTrenchw

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NGTB75N65FL2WG

IGBT

ONSEMION Semiconductor

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NGTB75N65FL2WG

IGBT

ONSEMION Semiconductor

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NGTB75N65FL2WG

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247

ONSEMION Semiconductor

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NGTB75N65FL2WG_V01

IGBT

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresarobustand costeffectiveFieldStop(FS)Trenchconstruction,andprovides superiorperformanceindemandingswitchingapplications,offering bothlowonstatevoltageandminimalswitchingloss. Features •ExtremelyEfficientTrenchw

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NGTB75N65FL2WG_16

IGBT

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NGTB75N65FL2WAG

IGBT-FieldStopII/4Lead

ONSEMION Semiconductor

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产品属性

  • 产品编号:

    NGTB75N65FL2WG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,75A

  • 开关能量:

    1.5mJ(开),1mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    110ns/270ns

  • 测试条件:

    400V,75A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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TO-247
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30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
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原装原厂代理 可免费送样品
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更多NGTB75N65FL2WG供应商 更新时间2025-5-24 8:12:00