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NGTB75N65FL2WG分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

NGTB75N65FL2WG
厂商型号

NGTB75N65FL2WG

参数属性

NGTB75N65FL2WG 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247

功能描述

Field Stop and trench IGBT

封装外壳

TO-247-3

文件大小

393.88 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-3 7:29:00

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NGTB75N65FL2WG规格书详情

DESCRIPTION

·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.0V@IC= 75A

·High Current Capability

·High Input Impedance

·Fast Switching

APPLICATIONS

·Induction Heating,UPS

·AC & DC motor controls and general purpose inverters

产品属性

  • 产品编号:

    NGTB75N65FL2WG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,75A

  • 开关能量:

    1.5mJ(开),1mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    110ns/270ns

  • 测试条件:

    400V,75A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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