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NGTB40N65FL2	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT，650V 40A FS2 太阳能/UPS This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and\ncost effective Field Stop II Trench construction, and provides superior\nperformance in demanding switching applications, offering both low\non state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited\nfor UPS and solar ap • Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology\n• TJmax = 175°C\n• Soft Fast Reverse Recovery Diode\n• Optimized for High Speed Switching\n• 5µs Short−Circuit Capability;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB40N65FL2WG	文件：277.38 Kbytes Page：11 Pages	IGBT - Field Stop II This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop II Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for UPS and solar 文件：277.38 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB40N65FL2WG_V01	文件：277.38 Kbytes Page：11 Pages	IGBT - Field Stop II This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop II Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for UPS and solar 文件：277.38 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB40N65FL2WG	文件：145.25 Kbytes Page：10 Pages	IGBT - Field Stop II 文件：145.25 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB40N65FL2WG	文件：146.54 Kbytes Page：10 Pages	IGBT - Field Stop II 文件：146.54 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB40N65FL2WG_16	文件：145.25 Kbytes Page：10 Pages	IGBT - Field Stop II 文件：145.25 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB40N65FL2WG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
V(BR)CES Typ (V)：
650
IC Max (A)：
40
VCE(sat) Typ (V)：
1.7
VF Typ (V)：
2.2
Eoff Typ (mJ)：
0.44
Eon Typ (mJ)：
0.97
Trr Typ (ns)：
72
Irr Typ (A)：
6.7
Gate Charge Typ (nC)：
170
Short Circuit Withstand (µs)：
5
PD Max (W)：
366
Co-Packaged Diode：
Yes
Package Type：
TO-247-3

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更多NGTB40N65FL2供应商更新时间2025-11-27 9:31:00

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