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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
NGTB30N65IHL2 | IGBT 650V 30A FS2 电感加热 This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and\ncost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides\nsuperior performance in demanding switching applications, offering\nboth low on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is\nwell suited for half bridge re • Extremely Efficient Trench with Fieldstop Technology\n• Low Switching Loss Reduces System Power Dissipation\n• Optimized for Low Losses in IH Cooker Application\n• TJmax = 175°C\n• Soft, Fast Free Wheeling Diode; | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
IGBT 文件：97.29 Kbytes 页数：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO247-3 | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
TO-247 | ON 上传：深圳市华来深电子有限公司 | ON |
技术参数
- Pb-free：
Pb
- Halide free：
H
- Status：
Active
- V(BR)CES Typ (V)：
650
- IC Max (A)：
30
- VCE(sat) Typ (V)：
1.7
- VF Typ (V)：
1.1
- Eoff Typ (mJ)：
0.2
- Trr Typ (ns)：
430
- Irr Typ (A)：
35
- Gate Charge Typ (nC)：
135
- PD Max (W)：
219
- Co-Packaged Diode：
Yes
- Package Type：
TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
25+ |
TO247-3 |
375 |
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询价 | ||
ON Semiconductor |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
27825 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
ON/安森美 |
22+ |
TO-247 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-247-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON/安森美 |
1620 |
30 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | |||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO247 |
7350 |
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ON Semiconductor |
23+ |
TO2473 |
8000 |
只做原装现货 |
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ON/安森美 |
25+ |
TO-247 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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