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NGTB15N60S1EG 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体
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原厂料号:NGTB15N60S1EG品牌:ON/安森美
NGTB15N60S1EG是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ON/安森美/onsemi生产封装TO-220-3的NGTB15N60S1EG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 类型
描述
- 产品编号:
NGTB15N60S1EG
- 制造商:
onsemi
- 类别:
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.7V @ 15V,15A
- 开关能量:
550µJ(开),350µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
65ns/170ns
- 测试条件:
400V,15A,22 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
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