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NGB8207ABN

Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK

文件:125.9 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8207ABN

Gate?묮mitter ESD Protection

文件:252.72 Kbytes 页数:7 Pages

Littelfuse

力特

NGB8207ABNT4G

Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK

文件:125.9 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8207ABNT4G

点火IGBT

这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管(IGBT)配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路,可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高压与高电流切换的应用。 • 点火线圈和驱动线圈应用的理想选择\n• 栅极发射极ESD保护\n• 温度补偿型栅极集电极电压钳位限制应用于载荷的应力\n• 集成ESD二极管保护\n• 低阈值电压将电源载荷接入逻辑或微处理器设备中\n• 低饱和电压\n• 高脉冲电流能力\n• 栅极电阻(RG) = 70 ;

Littelfuse

力特

NGB8207ABN

Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK

ONSEMI

安森美半导体

NGB8207ABNT4G

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 365V 20A D2PAK

Littelfuse

力特

产品属性

  • 产品编号:

    NGB8207ABNT4G

  • 制造商:

    Littelfuse Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 3.7V,10A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 365V 20A D2PAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
SOT-263
30216
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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更多NGB8207AB供应商 更新时间2025-11-5 14:01:00