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NGB8206NG

Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK

文件:130.3 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8206NG

Ignition IGBT 20 A, 350 V, N?묬hannel D2PAK

文件:118.17 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8206NG

Ignition IGBT

文件:129.57 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8206NT4

Ignition IGBT 20 A, 350 V, N?묬hannel D2PAK

文件:118.17 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8206NT4G

Ignition IGBT 20 A, 350 V, N?묬hannel D2PAK

文件:118.17 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8206NT4G

Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK

文件:130.3 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8206NT4G

Ignition IGBT

文件:129.57 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8206NTF4G

Ignition IGBT

文件:129.57 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGB8206ANSL3G

点火IGBT

这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管(IGBT)配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路,可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高压与高电流切换的应用。 • 栅极发射极ESD保护\n• 温度补偿型栅极集电极电压钳位限制应用于载荷的应力\n• 集成ESD二极管保护\n• 低阈值电压将电源载荷接入逻辑或微处理器设备中\n• 低饱和电压\n• 高脉冲电流能力\n• 选配栅极电阻(RG)和栅极发射极电阻(RGE);

Littelfuse

力特

NGB8206ANT4G

点火IGBT

这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管(IGBT)配有集成ESD与过压箝位保护装置的单片电路,可用于感应线圈驱动器应用。 主要用途包括点火、直接燃油喷射或需要高压与高电流切换的应用。 • 栅极发射极ESD保护\n• 温度补偿型栅极集电极电压钳位限制应用于载荷的应力\n• 集成ESD二极管保护\n• 低阈值电压将电源载荷接入逻辑或微处理器设备中\n• 低饱和电压\n• 高脉冲电流能力\n• 选配栅极电阻(RG)和栅极发射极电阻(RGE);

Littelfuse

力特

技术参数

  • Collector Current-Continuous ICmax (A):

    20

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V):

    1.3

  • EAS - Single Pulse Collector-to-Emitter Avalanche Energy:

    250

  • Max Power Dissipation (W):

    150

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ON/安森美
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TO263
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原装现货假一罚十
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更多NGB8206供应商 更新时间2026-3-17 22:58:00