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NGB8206ANT4G	文件：130.3 Kbytes Page：8 Pages	Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGB8206ANT4G	文件：129.57 Kbytes Page：9 Pages	Ignition IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGB8206ANT4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 390V 20A 150W D2PAK3	Littelfuse Inc. Littelfuse Inc.	Littelfuse Inc.

产品属性

产品编号：
NGB8206ANT4G
制造商：
Littelfuse Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 4.5V，20A
输入类型：
逻辑
25°C 时 Td（开/关）值：
-/5µs
测试条件：
300V，9A，1 千欧，5V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D2PAK
描述：
IGBT 390V 20A 150W D2PAK3

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