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NESG2021M16-A	文件：337.32 Kbytes Page：14 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPNSiGeRFTRANSISTORFOR LOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION 6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PKG) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainatlowcurrentamplifications NF=0.9dBTYP.,Ga=18.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz NF=1.3dBTYP.,Ga	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG2021M16-A	文件：120.23 Kbytes Page：12 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG) NPNSiGeRFTRANSISTORFOR LOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION 6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PKG) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainatlowcurrentamplifications NF=0.9dBTYP.,Ga=18.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz NF=1.3dBTYP.,	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NESG2021M16-A	文件：861.91 Kbytes Page：11 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)	CEL California Eastern Labs	CEL
NESG2021M16	文件：337.32 Kbytes Page：14 Pages	NPNSILICONGERMANIUMRFTRANSISTOR NPNSiGeRFTRANSISTORFOR LOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION 6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PKG) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainatlowcurrentamplifications NF=0.9dBTYP.,Ga=18.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz NF=1.3dBTYP.,Ga	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG2021M16	文件：861.91 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTORFORLOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PKG)	CEL California Eastern Labs	CEL
NESG2021M16	文件：120.23 Kbytes Page：12 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTORFORLOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PKG) NPNSiGeRFTRANSISTORFOR LOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION 6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PKG) FEATURES •Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainatlowcurrentamplifications NF=0.9dBTYP.,Ga=18.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz NF=1.3dBTYP.,	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NESG2021M16	文件：224.18 Kbytes Page：3 Pages	NECsNPNSiGeHIGHFREQUENCYTRANSISTOR	CALMIRCO California Micro Devices Corp	CALMIRCO

详细参数

型号：
NESG2021M16-A
功能描述：
射频硅锗晶体管 NPN High Frequency
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies 发射极 - 基极电压
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
千层芯半导体(深圳)有限公司	NESG2021M16-A	CEL	24+	原厂原封	4000	原装正品	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	NESG2021M16-T3	CALMIRCO	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
深圳市威雅利发展有限公司	NESG2021M16-T3	RENESAS	12+	6-PINM	5427	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳深宇韬电子科技有限公司	NESG2021M16-T3	RENESAS	2023+	6-PINM	8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价
深圳市中联芯电子有限公司	NESG2021M16-T3	RENESAS	24+	6-PINM	9000	只做原装正品有挂有货假一赔十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	NESG2021M16-T3	RENESAS	23+	6-PINM	5427	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市中福国际管理有限公司	NESG2021M16-T3	RENESAS	24+	6-PINM	5427	进口原装	询价
深圳市利芯伟业科技有限公司	NESG2021M16-T3	RENESAS	20+	6-PINM	5427	进口原装现货,假一赔十	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	NESG2021M16-T3-A		24+	N/A	64000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳宇航军工半导体有限公司	NESG2030M04	NEC	19+	SOT-343	87068	原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂；	询价

更多NESG2021M16-A供应商更新时间2025-5-3 9:22:00

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