NE97833数据手册分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
NE97833 |
| 参数属性 | NE97833 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23 |
| 功能描述 | PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | CEL California Eastern Labs |
| 原厂标识 | CEL |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 17:48:00 |
| 人工找货 | NE97833价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE97833规格书详情
简介
NE97833属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的NE97833晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号：
NE97833-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 晶体管类型：
PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
5.5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
2dB @ 1GHz
- 增益：
10dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 15mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
CEL |
25+ |
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
SOT-23 |
57000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SOT23 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
询价 | ||
CEL |
24+ |
原厂原装 |
4000 |
原装正品 |
询价 | ||
NDK |
DIP-5 |
35560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
S/PHI |
6000 |
面议 |
19 |
CDIP |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-23 |
26690 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
原厂正品 |
23+ |
SOT23 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 |
