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NE97833 | PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION TheNE97833PNPsilicontransistorisdesignedforultrahighspeedcurrentmodeswitchingapplicationsandmicrowaveamplifiersupto3.5GHz.TheNE97833offersexcellentperformanceandreliabilityatlowcost. FEATURES •HIGHGAINBANDWIDTHPRODUCT:fT=5.5GHzTYP •HIGHSPEED | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | |
NE97833 | PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR | CEL California Eastern Laboratories |  | |
PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION TheNE97833PNPsilicontransistorisdesignedforultrahighspeedcurrentmodeswitchingapplicationsandmicrowaveamplifiersupto3.5GHz.TheNE97833offersexcellentperformanceandreliabilityatlowcost. FEATURES •HIGHGAINBANDWIDTHPRODUCT:fT=5.5GHzTYP •HIGHSPEED | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | ||
PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR | CEL California Eastern Laboratories | | ||
包装：卷带（TR）剪切带（CT） 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23 | CEL California Eastern Laboratories | |
详细参数
- 型号：
NE97833
- 功能描述：
射频双极小信号晶体管 PNP High Frequency
- RoHS：
否
- 制造商：
NXP Semiconductors
- 配置：
Single
- 晶体管极性：
NPN
- 最大工作频率：
7000 MHz 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
15 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
2 V
- 集电极连续电流：
0.15 A
- 功率耗散：
1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 封装/箱体：
SOT-223
- 封装：
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
13+ |
SOT23 |
420000 |
特价热销现货库存 |
询价 | ||
CEL |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
询价 | ||
NEC |
07+/08+ |
SOT-23 |
1221 |
询价 | |||
原厂正品 |
23+ |
SOT23 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOP-8 |
18000 |
询价 | |||
CEL |
17+ |
原厂原装 |
4000 |
原装正品 |
询价 | ||
NEC |
1742+ |
SOT23 |
98215 |
只要网上有绝对有货!只做原装正品! |
询价 | ||
NEC |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
SOT-23 |
57000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
NEC |
20+/21+ |
SOT-23 |
9500 |
全新原装现货 |
询价 |
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