| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市广弘电子有限公司4年
留言
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NECSOT-23 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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NEC/SKNA/ |
6250 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
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NECSOT-23 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
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NECSOP-8 |
18000 |
23+ |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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NECSOT323 |
12000 |
2016+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NEC/SKSOT-23 |
3000 |
23+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
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NECSOT23 |
98215 |
1742+ |
只要网上有绝对有货!只做原装正品! |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
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NECSOT-23 |
50000 |
23+ |
原装正品 支持实单 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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NECSOT323 |
34774 |
2204+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
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NEC/SOT-23 |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NECSOT-23 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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NECSOT323 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SOT-23 |
68900 |
NEC |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NEC/SKSOT-23 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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NEC-日本电气SOT-23.贴片 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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RENESAS-瑞萨SOT-323 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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NEC原厂原装 |
1305 |
360000 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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3000 |
公司存货 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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原厂正品SOT-23 |
20000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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NECSOT-23 |
7500 |
07+/08+ |
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NE94433-T1B-A中文资料Alldatasheet PDF
更多NE944制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR
NE94430功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN Oscillator/Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE94430-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN Silicon AMP Oscilltr Transist RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE94430-T1制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:NPN Silicon Amplifier and Oscillator Transistor
NE94430-T1-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN Silicon AMP Oscilltr Transist RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE94430-T2制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR
NE94430-T44-A功能描述:射频混合器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube
NE94432功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92
NE94433功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN Oscillator/Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
NE94433-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
