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NE94433-T1B-A分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

NE94433-T1B-A
厂商型号

NE94433-T1B-A

参数属性

NE94433-T1B-A 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:TRANSISTOR NPN OSC FT=2GHZ SO

功能描述

NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

61.82 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
NEC
数据手册

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更新时间

2025-8-1 17:46:00

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NE94433-T1B-A规格书详情

DESCRIPTION

The NE944 series of NPN silicon epitaxial bipolar transistors is intended for use in general purpose UHF oscillator and mixer applications. It is suitable for automotive keyless entry and TV tuner designs.

The device features stable oscillation and small frequency drift during changes in the supply voltage and over the ambient temperature range.

FEATURES

• LOW COST

• HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:

fT = 2000 MHz TYP

• LOW COLLECTOR TO BASE TIME CONSTANT:

CC•r bb = 5 ps TYP

• LOW FEEDBACK CAPACITANCE: CRE= 0.55 pF TYP

产品属性

  • 产品编号:

    NE94433-T1B-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    15V

  • 频率 - 跃迁:

    2GHz

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 5mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANSISTOR NPN OSC FT=2GHZ SO

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CEL
24+
原厂原封
4000
原装正品
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RENESAS
23+
SOT-23
57000
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SOT-23
7500
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