NE85633-T1B-R24-A_分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频-CEL

订购数量	价格
1+	¥面议

厂家型号：
NE85633-T1B-R24-A
制造商：
CEL/California Eastern Labs
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频
封装外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-8-3 11:10:00

PDF资料查看货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：NE85633-T1B-R24-A品牌：CEL

资料说明：RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

NE85633-T1B-R24-A是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商CEL/California Eastern Labs生产封装TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的NE85633-T1B-R24-A晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
ne85633-t1b-r24-a
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
CEL详情
厂商全称：
California Eastern Labs
资料说明：
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

产品属性

类型
描述
产品编号：
NE85633-T1B-R24-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 1GHz
增益：
11.5dB
功率 - 最大值：
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 20mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

相关型号

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NE85633-T1B-R24-A	CEL	23+	SOT-23-3	26690	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	NE85633-T1B-R24-A	California Eastern Labs	2022+	原厂原包装	8600	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	NE85633-T1B-R24-A	CEL	25+	TO-236-3 SC-59 SOT-23-3	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	NE85633-T1B-R24-A	NK/南科功率	2025+	SOT-23-3	986966	国产	询价
深圳市弘为电子有限公司	NE85633-T1B-R25	NECELECTRON	24+	原封装	2040	原装现货假一罚十	询价
深圳市近平电子有限公司	NE85633-T1B-R25	NECELECTRONI	6000	面议	19	DIP/SMD	询价
深圳市锦喆鸿电子有限公司	NE85633-T1B-R25-A	RENESAS	21+	SOT23-3	12588	原装正品,自己库存假一罚十	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	NE85633-T1B-R25-A	RENESAS/瑞萨	23+	SOT23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	NE85633-T1B-R25-A	RENESAS/瑞萨	24+	NA/	30	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市创新迹电子有限公司	NE85633-T1B-R25-A	RENESAS/瑞萨	22+	SOT23	25000	只有原装原装,支持BOM配单	询价

NE85633-T1B-R24-A_分立半导体产品 晶体管-双极（BJT）-射频-CEL

NE85633-T1B-R24-A

产品属性

相关型号

相近型号

NE85633-T1B-R24-A_分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频-CEL