NE85633-T1B_分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频-CEL

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厂家型号：
NE85633-T1B
制造商：
CEL/California Eastern Labs
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频
封装外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-8-6 15:01:00

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原厂料号：NE85633-T1B品牌：CEL

资料说明：RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

NE85633-T1B是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商CEL/California Eastern Labs生产封装TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的NE85633-T1B晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
ne85633-t1b
规格书：
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企业简称：
CEL详情
厂商全称：
California Eastern Labs
资料说明：
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

产品属性

类型
描述
产品编号：
NE85633-T1B
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
增益：
9dB
功率 - 最大值：
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

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NE85633-T1B

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