NESG2030M04-A_分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频-CEL

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厂家型号：
NESG2030M04-A
制造商：
CEL/California Eastern Labs
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频
封装外壳：
SOT-343F
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-6-27 14:26:00

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原厂料号：NESG2030M04-A品牌：CEL

资料说明：RF TRANS NPN 2.3V 60GHZ M04

NESG2030M04-A是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商CEL/California Eastern Labs生产封装SOT-343F的NESG2030M04-A晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
nesg2030m04-a
规格书：
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企业简称：
CEL详情
厂商全称：
California Eastern Labs
资料说明：
RF TRANS NPN 2.3V 60GHZ M04

产品属性

类型
描述
产品编号：
NESG2030M04-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
2.3V
频率 - 跃迁：
60GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz
增益：
16dB
功率 - 最大值：
80mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 5mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
35mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-343F
供应商器件封装：
M04
描述：
RF TRANS NPN 2.3V 60GHZ M04

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NESG2030M04-A_分立半导体产品 晶体管-双极（BJT）-射频-CEL

NESG2030M04-A

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