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NE722S01-T1中文资料瑞萨数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
NE722S01-T1
- 功能描述:
射频GaAs晶体管 C-X Band GaAs MESFET
- RoHS:
否
- 制造商:
TriQuint Semiconductor
- 技术类型:
pHEMT
- 频率:
500 MHz to 3 GHz
- 增益:
10 dB
- 噪声系数:
正向跨导
- gFS(最大值/最小值):
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压:
- 8 V
- 漏极连续电流:
3 A
- 最大工作温度:
+ 150 C
- 功率耗散:
10 W
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
589220 |
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NEC |
23+ |
SMT-89 |
26626 |
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NEC |
23+ |
SMT-89 |
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NEC |
2022 |
SMT-89 |
540 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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NECELECTRONI |
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
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NEC |
2022 |
SMT-89 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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NEC |
2122+ |
SMT-89 |
33000 |
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NEC |
2023+ |
SMT-89 |
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NEC |
2020+ |
SMT-89 |
80000 |
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NEC |
22+ |
SMT-89 |
28600 |
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