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NE722S01-T1中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NE722S01-T1
厂商型号

NE722S01-T1

功能描述

NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET

文件大小

128.74 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-24 14:56:00

产品属性

  • 型号:

    NE722S01-T1

  • 功能描述:

    射频GaAs晶体管 C-X Band GaAs MESFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型:

    pHEMT

  • 频率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪声系数:

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压:

    - 8 V

  • 漏极连续电流:

    3 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

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