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NE685M03-A	文件：205.64 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR 文件：205.64 Kbytes 页数：4 Pages	CEL	CEL
NE685M03-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-623F；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 5V 12GHZ M03	CEL	CEL
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NE685M03	文件：34.19 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The NE685M03 transistor is designed for low noise, high gain, and low cost requirements. This high fT part is well suited for very low voltage/low current designs for portable wireless communications and cellular radio applications. NECs new low profile/flat lead style M03 package is 文件：34.19 Kbytes 页数：3 Pages	NEC 瑞萨	NEC

产品属性

产品编号：
NE685M03-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
5V
频率 - 跃迁：
12GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
功率 - 最大值：
125mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
75 @ 10mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-623F
供应商器件封装：
M03
描述：
RF TRANS NPN 5V 12GHZ M03

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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