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NE685M13-T3-A	文件：157.94 Kbytes Page：9 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL

详细参数

型号：
NE685M13-T3-A
功能描述：
射频双极小信号晶体管 NPN Lo Noise Hi Gain
RoHS：
否
制造商：
NXP Semiconductors
配置：
Single
晶体管极性：
NPN
最大工作频率：
7000 MHz 集电极—发射极最大电压
VCEO：
15 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
2 V
集电极连续电流：
0.15 A
功率耗散：
1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe
最大工作温度：
+ 150 C
封装/箱体：
SOT-223
封装：
Reel

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