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NE687M33

NPN SILICON RF TRANSISTOR

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW NOISE 3-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (M33)

文件:213.44 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

NE687M33

NECs NPN SILICON TRANSISTOR

文件:344.33 Kbytes 页数:6 Pages

CEL

NE687M33-T3

NPN SILICON RF TRANSISTOR

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW NOISE 3-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (M33)

文件:213.44 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

NE687M33-A

NECs NPN SILICON TRANSISTOR

文件:344.33 Kbytes 页数:6 Pages

CEL

NE687M33-T3-A

NECs NPN SILICON TRANSISTOR

文件:344.33 Kbytes 页数:6 Pages

CEL

NE687M33-A

NECs NPN SILICON TRANSISTOR

CEL

NE687M33-T3-A

RF TRANS NPN 3V 12GHZ 3SMINMOLD

CEL

NE687M33-A

Package:3-SMD,扁平引线;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 3V 12GHZ 3SMINMOLD

CEL

NE687M33-T3-A

Package:3-SMD,扁平引线;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 3V 12GHZ 3SMINMOLD

CEL

技术参数

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    3V

  • 频率 - 跃迁:

    12GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.5dB ~ 2dB @ 2GHz

  • 功率 - 最大值:

    90mW

  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):

    70 @ 10mA,1V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    3-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    3 针 SuperMiniMold(M33)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
23+
26596
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
NEC
24+
SOT-523
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
询价
CEL
2022+
3 针 SuperMiniMold(M33)
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
NEC
23+
SOT-523
50000
原装正品 支持实单
询价
NEC
22+
SOT343
3000
原装正品,支持实单
询价
NEC
20+
SOT343
49000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
RENESAS/瑞萨
22+
SOT-423
20000
只做原装
询价
CEL
24+
原厂原封
4000
原装正品
询价
ZXV
20+
SOT-523
90000
原装现货支持BOM配单服务
询价
NEC
24+
Mini3P
7500
询价
更多NE687M33供应商 更新时间2026-4-22 15:07:00