首页>NE678M04-T2-A>规格书详情

NE678M04-T2-A分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

PDF无图
厂商型号

NE678M04-T2-A

参数属性

NE678M04-T2-A 封装/外壳为SOT-343F;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343F

功能描述

MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343F

封装外壳

SOT-343F

文件大小

207.89 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

CEL

网址

网址

数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二

更新时间

2025-12-11 14:08:00

人工找货

NE678M04-T2-A价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

NE678M04-T2-A规格书详情

NE678M04-T2-A属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE678M04-T2-A晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NE678M04-T2-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    6V

  • 频率 - 跃迁:

    12GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.7dB @ 2GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 功率 - 最大值:

    205mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    75 @ 30mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-343F

  • 供应商器件封装:

    SOT-343F

  • 描述:

    RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343F

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
17PB
SMD
2315
普通
询价
NEC
22+
SOT423
3000
原装正品,支持实单
询价
RENESAS/瑞萨
21+
SOT423
10000
原装现货假一罚十
询价
NEC
16+
-
160
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
询价
RENESAS
2023+
SOT423
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
询价
ASTEEL
23+
SOT423
89630
当天发货全新原装现货
询价
NEC
24+
NA/
3410
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
ASTEEL
25+
SOT423
860000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
NEC
24+
-
60000
全新原装现货
询价