NE6501077中文资料10 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET数据手册Renesas规格书
技术参数
- 型号：
NE6501077
- 功能描述：
射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技术类型：
pHEMT
- 频率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪声系数：
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压：
- 8 V
- 漏极连续电流：
3 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
