Advanced DDR memory termination power with external reference voltage in

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Advanced DDR memory termination power with external reference in

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高级DDR存储器端接电源，采用外部基准电压

NE57810 DDR端接稳压器可将输出电压（DDR参考总线电压）保持在RAM电源电压的一半。它在该周期内可持续提供高达± 3.5 A的电流。 NE57810具有过流限制功能，启动时不受浪涌电流影响。过温关断保护功能可为器件提供极端温度保护。\n该器件的封装具有热稳定性，为散热设计提供了灵活性。NE57810是一款线性稳压器，因此无需外部电感或开关FET。该器件针对负载变化具有快速响应特性，可降低输出电容的要求。 快速瞬态响应时间\n过温保护\n过流保护\n商用温度范围：0 ℃至+70 ℃\n降低外部元器件要求（开关FET、电感、去耦电容）\n内部驱动器将端接电压保持在存储器电源电压的一半\n其他存储器和控制元件的基准电压输出\n用于灵活应用中的可选外部基准电压输入\n兼容DDR-I (VDD = 2.5 V)或DDR-II (VDD = 1.8 V) SDRAM系统;

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高级DDR存储器端接电源，采用外部基准电压

The NE57810TK is designed to provide power for termination of a Double Data Rate(DDR) SDRAM memory bus. It significantly reduces parts count, board space, and overallsystem cost compared to previous solutions.\nThe NE57810TK DDR termination regulator maintains an output voltage (DDR referencebus vol \n• Fast transient response time\n• Overtemperature protection\n• Overcurrent protection\n• Commercial (0 °C to +70 °C) temperature range\n• Reduced need for external components (switching FETs, inductors, decouplingcapacitors)\n• Internal divider maintains termination voltage at half the memory sup;

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