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NE5550979A中文资料Silicon Power LDMOS FET数据手册CEL规格书

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厂商型号

NE5550979A

参数属性

NE5550979A 包装为盒;类别为开发板套件编程器的射频评估开发套件开发板;产品描述:EVAL BOARD NE5550979A

功能描述

Silicon Power LDMOS FET
EVAL BOARD NE5550979A

制造商

CEL California Eastern Labs

数据手册

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更新时间

2025-9-27 14:39:00

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NE5550979A规格书详情

简介

NE5550979A属于开发板套件编程器的射频评估开发套件开发板。由制造生产的NE5550979A射频评估和开发套件,开发板本系列中的产品适用于在已知实施环境中,提供能访问射频相关器件的功能或者有助于访问该功能。所含的焦点产品范围从射频信号链元器件(如放大器和检测器)到模块化收发器,以及不直接包含焦点产品的适配器硬件,但此类硬件可供方便地访问用户单独提供的特定射频产品或系列。

技术参数

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  • 产品编号:

    NE5550979A-EV04-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    开发板,套件,编程器 > 射频评估和开发套件,开发板

  • 包装:

  • 类型:

    FET

  • 频率:

    460MHz

  • 配套使用/相关产品:

    NE5550979A

  • 所含物品:

  • 描述:

    EVAL BOARD NE5550979A

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