NDT452AP数据手册ONSEMI中文资料规格书
NDT452AP规格书详情
描述 Description
功率SOT N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 这些器件特别适用于笔记本电脑功率管理和DC电机控制等低电压应用。
特性 Features
•-5A,-30V。 RDS(ON) = 0.065 RDS(ON) = 0.3 Ω @ VGS = -10VRDS(ON) = 0.1 RDS(ON) = 0.3 Ω @ VGS = -4.5V
•高密度设计可实现极低的RDS(ON)。
•高功率和高电流处理能力,采用广泛使用的表面贴装封装。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:NDT452AP
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:-30
- VGS Max (V)
:20
- VGS(th) Max (V)
:-3
- ID Max (A)
:-5
- PD Max (W)
:3
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:100
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:65
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:22
- Ciss Typ (pF)
:690
- Package Type
:SOT-223-4/TO-261-4
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
ON安森美 |
24+ |
SOT223 |
12000 |
进口原装 价格优势 |
询价 | ||
FAI |
22+ |
SOT223 |
8500 |
全新正品现货 有挂就有现货 |
询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
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onsemi(安森美) |
20+ |
SOT-223-4 |
4000 |
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ON |
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SOT-223 |
9852 |
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ON/安森美 |
24+ |
SOT-223-4 |
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原装正品公司现货,假一赔十! |
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FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
21+ |
NA |
8000 |
只做原装,假一罚十 |
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ON |
23+ |
SOT-223 |
76456 |
原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
询价 |