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NDT2955数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NDT2955

功能描述

P 沟道增强型场效应晶体管,-60V,-2.5A,300mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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NDT2955规格书详情

描述 Description

此60V P沟道MOSFET采用飞兆半导体的高电压Trench工艺生产。 已针对功率管理应用进行了优化。

特性 Features

•-2.5A,-60V
•RDS(ON) = 300mΩ @ VGS = -10V
•RDS(ON) = 500mΩ @ VGS = -4.5V
•高密度单元设计可实现极低的RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力,采用广泛使用的表面贴装封装。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• DC/DC Converters
• Power Management

技术参数

  • 制造商编号

    :NDT2955

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :-4

  • ID Max (A)

    :-2.5

  • PD Max (W)

    :1

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :500

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :300

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :11

  • Ciss Typ (pF)

    :601

  • Package Type

    :SOT-223-4/TO-261-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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