NDT3055L数据手册ONSEMI中文资料规格书
NDT3055L规格书详情
描述 Description
这些逻辑电平N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件特别适合DC马达控制和DC/DC转换等低电压应用，此类应用需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力。
特性 Features
•4 A，60 V。 RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 10 V，RDS(ON) = 0.120 Ω @ VGS = 4.5 V。
•低驱动要求使得能够直接从逻辑驱动器进行操作。 VGS(TH)< 2V。
•采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
•采用广泛使用的表面贴装封装，具有高功率和高电流处理能力。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：NDT3055L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：2
- ID Max (A)
：4
- PD Max (W)
：3
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：120
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：100
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：13
- Ciss Typ (pF)
：345
- Package Type
：SOT-223-4/TO-261-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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