NDS351AN_Q数据手册行情报价仙童半导体-114ic电子网

首页 >NDS351AN_Q>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
NDS351AN-NL	文件：486.17 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDS351N	文件：75.67 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS351N-TP	文件：910.89 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ®Vos=30Vio=2A Rosin	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
NP351	文件：198.67 Kbytes Page：2 Pages	1/2PRESS-FITSTRAIGHTLEADDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
NTE351	文件：19.87 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNTransistorRFPowerAmp,Driver Description: TheNTE351isasiliconNPNtransistorinaT72Htypepackagedesignedprimarilyforusein12.5VVHFlarge–signalpoweramplifierapplicationsrequiredincommercialandindustrialequipmentto300MHz. Features: ●Specified12.5V,175MHzCharacteristics:OutputPower=25WMinimum	NTE NTE Electronics	NTE
OMT351	文件：42.83 Kbytes Page：1 Pages	FlangeMounting/PanelMountingTypes	OHMITEOHMITE MANUFACTURING COMPANY 欧敏欧敏电阻制造公司	OHMITE
OMT351L	文件：42.83 Kbytes Page：1 Pages	FlangeMounting/PanelMountingTypes	OHMITEOHMITE MANUFACTURING COMPANY 欧敏欧敏电阻制造公司	OHMITE
PCK351	文件：316.8 Kbytes Page：17 Pages	1:10clockdistributiondevicewith3-Stateoutputs	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PCK351D	文件：316.8 Kbytes Page：17 Pages	1:10clockdistributiondevicewith3-Stateoutputs	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PCK351DB	文件：316.8 Kbytes Page：17 Pages	1:10clockdistributiondevicewith3-Stateoutputs	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
NDS351AN_Q
功能描述：
MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市博浩通科技有限公司	NDS351ANCT	Fairchild	23+	SuperSOT?-3	7750	全新原装优势	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	NDS351AN-HXY		24+	N/A	57000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市近平电子有限公司	NDS351AN-LF	FS	6000	面议	19	DIP/SMD	询价
深圳市仟禧电子有限公司	NDS351ANMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	22+	SOT-23	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
深圳市启明微电子有限公司	NDS351ANMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	13+	SOT-23	3000		询价
深圳市威尔健半导体有限公司	NDS351ANMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市吉银科技有限公司	NDS351ANMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	1535+		5685		询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	NDS351ANMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	21+		9852	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
深圳市源泽芯电子有限公司	NDS351ANMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	11+	SOT-23	1000	进口原装现货假一赔万力挺实单	询价
深圳庞田科技有限公司	NDS351ANMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	2023+	SOT-23	50000	AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站	询价

更多NDS351AN_Q供应商更新时间2025-5-14 16:25:00

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263
Email：114ic＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号