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QFA0610	文件：121.17 Kbytes Page：1 Pages	FixedAttenuators Features: LowVSWR HighAttenuationFlatness Applications: Wireless Transmitter LaboratoryTest Radar	QUALWAVEQualwave Inc. All rights reserved. 扩维微波成都扩维微波技术有限公司	QUALWAVE
RCB0610	文件：597.74 Kbytes Page：4 Pages	RADIALCHOKECOIL	SUPERWORLDSuperworld Electronics 超级世界电子超级世界电子公司	SUPERWORLD
RJF0610DSP	文件：108.84 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJF0610DSP	文件：104.56 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJF0610JSP	文件：104.76 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJF0610JSP	文件：104.93 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RSZ-0610	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
RSZ-0610HP	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
SMS0610	文件：279.46 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SMS0610	文件：1.78323 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
NDS0610
功能描述：
MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NDS0610供应商更新时间2025-7-12 16:00:00

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