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RJF0610DSP	文件：108.84 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Series Power Switching 文件：108.84 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJF0610DSP	文件：104.56 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Series Power Switching 文件：104.56 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJF0610DSP_12	文件：108.84 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Series Power Switching 文件：108.84 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJF0610DSP_15	文件：104.4 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Series Power Switching 文件：104.4 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJF0610DSP_16	文件：289.25 Kbytes Page：8 Pages	60V , 1.5A Silicon N channel Thermal FET 文件：289.25 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJF0610DSP-00J0	文件：108.84 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET Series Power Switching 文件：108.84 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJF0610DSP	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V, 1.5A Silicon N channel Thermal FET Power Switching This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumptio • Logic level operation (5 to 6 V Gate drive).\n• Built-in the over temperature shut-down circuit.\n• High endurance capability against to the short circuit.\n• Temperature hysteresis type.\n• High density mounting\n• Power supply voltage applies 12 V and 24 V.;	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

Channels (#)：
2
Pkg. Type：
SOP
VDSS (Max) (V)：
60
ID (A)：
1.5
RDS (on) (Max) @8V to 10V (mohm)：
214
Pch (W)：
3
RDS (on) (ohm) typ. @8V to 10V (mohm)：
153
Lead Count (#)：
8
EPC：
PRSP0008DD
Application：
Automotive Use

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	RJF0610DSP	NK/南科功率	2025+	SOP-8	986966	国产	询价
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