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18年 留言

NSC

285

25+

全新原装!优势库存热卖中!

深圳市芯皇电子有限公司

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6年 留言

ON/安森美23+

6000

SMD

专业配单原装正品假一罚十

深圳市坤融电子科技有限公司

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NS

5000

2025+

原装进口价格优 请找坤融电子!

深圳市河锋鑫科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-220

31518

17+

原装正品 可含税交易

深圳市龙瀚电子有限公司

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FairchildT0220

3500

16+/17+

原装正品现货供应56

深圳市晨豪科技有限公司

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NDN/芯潭微SOT89-3/SOT89-5

36592

23+

全新原装假一罚十诚信经营

深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemiN/A

21000

25+

正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

中天科工半导体(深圳)有限公司

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NDP6060L

ONSEMI/安森美TO-220

20300

25+

1+
:¥0.12345

ONSEMI/安森美原装特价NDP6060L即刻询购立享优惠#长期有货

深圳市得捷芯城科技有限公司

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onsemi(安森美)TO-220-3

18798

25+

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深圳市恒凯威科技开发有限公司

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ON/安森美TO-220(TO-220-3)

8080

21+

只做原装,质量保证

深圳市河锋鑫科技有限公司

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Fairchild/ONTO2203

9000

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原厂渠道,现货配单

深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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FAIRCHIN/A

12000

24+

原装正品 假一罚十 可拆样

深圳市赛尔通科技有限公司

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FAIRCHILDTO-220

65480

23+

深圳市科恒伟业电子有限公司

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NS/美国国半TO220

6540

2450+

原装现货或订发货1-2周

千层芯半导体(深圳)有限公司

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NSSMD

20000

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一级代理原装现货假一罚十

深圳市星宇佳科技有限公司

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onsemi(安森美)TO-220

50

20+

深圳市拓亿芯电子有限公司

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FSCTO-220

30000

25+

代理全新原装现货 价格优势

深圳市亿联芯电子科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO220

1920

2023+

1+
:¥3.6

一级代理优势现货,全新正品直营店

深圳市恒达亿科技有限公司

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FAIRCHILDTO-220

4500

25+

全新原装、诚信经营、公司现货销售

深圳市科恒伟业电子有限公司

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NS/美国国半TO-220

9850

2450+

只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!

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生产厂家品牌为National的NDP605A多少钱,想知道NDP605A价格是多少?参考价:¥14.0253。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,NDP605A批发价格及采购报价,NDP605A销售排行榜及行情走势,NDP605A报价。

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NDP6020功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NDP6020P功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NDP6020P_Q功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NDP6030功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NDP6030L功能描述:MOSFET N-Channel FET LL Enhancement RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NDP6030PL功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NDP6030PL_Q功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NDP603AL功能描述:MOSFET N-Channel FET LL Enhancement RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NDP6050功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NDP6050L制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor