| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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18年
留言
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NSC |
285 |
25+ |
全新原装!优势库存热卖中! |
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6年
留言
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ON/安森美23+ |
6000 |
SMD |
专业配单原装正品假一罚十 |
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7年
留言
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NS |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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2年
留言
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FairchildT0220 |
3500 |
16+/17+ |
原装正品现货供应56 |
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13年
留言
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NDN/芯潭微SOT89-3/SOT89-5 |
36592 |
23+ |
全新原装假一罚十诚信经营 |
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7年
留言
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onsemiN/A |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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15年
留言
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ONSEMI/安森美TO-220 |
20300 |
25+ |
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ONSEMI/安森美原装特价NDP6060L即刻询购立享优惠#长期有货 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)TO-220-3 |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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10年
留言
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ON/安森美TO-220(TO-220-3) |
8080 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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5年
留言
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Fairchild/ONTO2203 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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4年
留言
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FAIRCHIN/A |
12000 |
24+ |
原装正品 假一罚十 可拆样 |
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16年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
65480 |
23+ |
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11年
留言
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NS/美国国半TO220 |
6540 |
2450+ |
原装现货或订发货1-2周 |
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8年
留言
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NSSMD |
20000 |
24+ |
一级代理原装现货假一罚十 |
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6年
留言
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onsemi(安森美)TO-220 |
50 |
20+ |
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11年
留言
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FSCTO-220 |
30000 |
25+ |
代理全新原装现货 价格优势 |
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15年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
1920 |
2023+ |
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一级代理优势现货,全新正品直营店 |
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13年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
4500 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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12年
留言
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NS/美国国半TO-220 |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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NDP605A价格
NDP605A价格:¥14.0253品牌:National
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NDP6060中文资料Alldatasheet PDF
更多NDP6020功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP6020P功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP6020P_Q功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP6030功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP6030L功能描述:MOSFET N-Channel FET LL Enhancement RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP6030PL功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP6030PL_Q功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP603AL功能描述:MOSFET N-Channel FET LL Enhancement RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP6050功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP6050L制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

































