| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SMD |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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285 |
9330+ |
全新原装!优势库存热卖中! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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13037 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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ON/安森美TO-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)TO-220 |
7828 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
534 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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NATIONAL/TO-220 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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FairchildT0220 |
3500 |
16+/17+ |
原装正品现货供应56 |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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NDN/芯潭微SOT89-3/SOT89-5 |
36592 |
23+ |
全新原装假一罚十诚信经营 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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onsemiTO-220-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
8950 |
2019+全新原装正品 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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FAIRCHITO-220 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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NATIONAL/TITO-220 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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FSCTO-220 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市晴轩时代电子有限公司6年
留言
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ON/安森美TO-220(TO-220-3) |
8800 |
21+ |
公司只做原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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onsemiTO-220-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
1709 |
21+ |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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NDP6图片
NDP605A价格
NDP605A价格：￥14.0253品牌：National
生产厂家品牌为National的NDP605A多少钱，想知道NDP605A价格是多少？参考价：￥14.0253。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NDP605A批发价格及采购报价，NDP605A销售排行榜及行情走势，NDP605A报价。
NDP6060中文资料Alldatasheet PDF
更多NDP6020功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP6020P功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP6020P_Q功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP6030功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP6030L功能描述:MOSFET N-Channel FET LL Enhancement RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP6030PL功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP6030PL_Q功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP603AL功能描述:MOSFET N-Channel FET LL Enhancement RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP6050功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP6050L制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
