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SI8504-B-IM	文件：341.53 Kbytes Page：24 Pages	UNIDIRECTIONALACCURRENTSENSORS	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI8504-B-IM	文件：385.65 Kbytes Page：37 Pages	Si85XXUNIDIRECTIONALACCURRENTSENSORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
SI8504-C-IM	文件：385.65 Kbytes Page：37 Pages	Si85XXUNIDIRECTIONALACCURRENTSENSORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
SI-8504L	文件：77.42 Kbytes Page：6 Pages	SeparateExcitationSwitchingTypewithCoil	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
SM8504	文件：164.08 Kbytes Page：5 Pages	8-BitSingle-ChipMicrocomputer(ControllersForGeneralPurpose) Description SM8500seriesisa1-chipmicrocomputercontainingSM85CPUcoreandtherequiredperipheralfunctionsforsystem.SM85CPUisan8-bithighperformanceCUPwithvariousaddressingmodesandhighefficiencyinstructionssetSM85CPUisfeaturedbyallocatinggeneralresistersonRAMtor	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
SSS8504AL	文件：1.0099 Mbytes Page：7 Pages	AdvancedMOSFETprocesstechnology FeaturesandBenefits: AdvancedMOSFETprocesstechnology SpecialdesignedforPWM,loadswitchingand generalpurposeapplications Ultralowon-resistancewithlowgatecharge Fastswitchingandreversebodyrecovery 150℃operatingtemperature Description: Itutilizesthelate	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
SSS8504DL	文件：342.09 Kbytes Page：5 Pages	AdvancedMOSFETprocesstechnology FeaturesandBenefits: AdvancedMOSFETprocesstechnology SpecialdesignedforPWM,loadswitchingand generalpurposeapplications Ultralowon-resistancewithlowgatecharge Fastswitchingandreversebodyrecovery 150℃operatingtemperature Description: Itutilizesthelates	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
TA8504	文件：153.71 Kbytes Page：4 Pages	HIGHSPEEDCOMPARATOR	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TA8504F	文件：153.71 Kbytes Page：4 Pages	HIGHSPEEDCOMPARATOR	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8504	文件：224.91 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType HighSpeedSwitchingApplications DC-DCConverterApplications •HighDCcurrentgain:hFE=400to1000(IC=0.2A) •Lowcollector-emittersaturation:VCE(sat)=0.12V(max) •High-speedswitching:tf=25ns(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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深圳市永贝尔科技有限公司	NDH8504P	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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