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NDD60N900U1-1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

NDD60N900U1-1G

N-Channel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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更多NDD60N900U1-1供应商 更新时间2025-6-4 10:05:00