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NDD03N50Z-1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES Drain Current -ID= 2.6A@ TC=25℃ Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:317.61 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NDD03N50Z-1G

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

文件:1.07551 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NDD03N50Z-1G

N-Channel Power MOSFET 500 V, 3.3 

文件:124.45 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDS0610

SOT23

FAIRCHILD仙童

上传:深圳市乐创天科技有限公司

FAIRCHILD仙童

NDS331N

SOT23

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详细参数

  • 型号:

    NDD03N50Z-1

  • 功能描述:

    MOSFET 500V 2.6A HVFET IPAK

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NDD03N50Z-1供应商 更新时间2025-12-1 14:02:00